Artikel ini secara ringkas memperkenalkan kaedah untuk meningkatkan kehidupan muncung nitride boron, berasal dari kertas penyelidikan oleh Li Bei dan Guo Fengping. Dengan mendepositkan ketum Si di dalam muncung BN dan kemudian merawatnya pada suhu yang tinggi dalam suasana nitrogen, si3N4 yang padat dengan ketebalan tertentu akhirnya terbentuk di dalam muncung. Si3N4 mempunyai kekerasan KKM 9-9.5 dan pekali pengembangan haba 2.75×10-6/°C, yang lebih serasi dengan matrix heksagon BN. Seramik Si3N4 Siilicon Nitride mempunyai mekanik suhu tinggi yang sangat baik, rintangan erosion, memakai rintangan, rintangan kakisan, dan rintangan pengoksidaan. Ia boleh melindungi muncung BN daripada pengoksidaan dan memastikan kehidupan muncung bertambah baik.
Dalam proses menyembur jalur aloi amorphous berasaskan Fe (mengandungi Fe, Si, B), muncung nitride boron heksagon bersentuhan dengan suhu tinggi (> 1,300°C) dan tekanan tinggi cair, dan permukaan dioksidakan dengan serius, dan boron oksida yang terbentuk (B2O3) adalah cair berkaca, bahan ini melembutkan pada 450°C dan menjadi cecair likat pada 600°C. Di bawah kesan tekanan tinggi mencairkan, boron oksida mudah terpesona, dan diameter dalaman muncung berkembang pesat, yang membawa kepada kegagalan. Untuk menyelesaikan masalah ini, Li Bei dan Guo Fengping mencadangkan kaedah berikut.
Untuk memanjangkan hayat perkhidmatan muncung seramik BN, dengan mendepositkan salutan Si di dalam muncung BN dan kemudian merawatnya pada suhu yang tinggi dalam suasana nitrogen, tindak balas perubahan berlaku: 3Si+2N2 = a -Si3N4. Akhirnya, lapisan padat salutan Si3N4 dengan ketebalan tertentu terbentuk di dalam muncung, pertalian salutan adalah lebih baik, dan pekali pengembangan agak konsisten. Jumlah pemendapan penyaduran Si3N4 adalah 0.15 ~0.20mm, jumlah pemendapan yang lebih besar akan menjadikan penyapu mudah jatuh, jumlah pemendapan yang lebih kecil tidak cukup tahan terhadap arioion. Suhu pemprosesan adalah 900~1,000°C. Masa pemprosesan adalah 0.5 ~ 1.5 jam untuk memastikan kesan pengarikan.
